반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Abstract

A manufacturing method of the semiconductor device and a substrate processing apparatus for the same are provided, which can suppress the generation of the popping phenomenon in the resist removal progress. The reaction container(431) can be decompressed and performs the plasma processing of the reaction gas. The spiral resonator has the resonant coil and outer side shield. The outer side shield is electrically earthed while being arranged in the circumference of the resonant coil. The process chamber(445) accommodates substrate successively while being installed at the reaction container. The power source(444) supplies the electricity to the resonant coil. The reacting gas providing unit supplies the reaction gas to the reaction container. The flux controlling part controls the flow rate of the reaction gas supplied by the reacting gas providing unit.
본 발명은, 레지스트 제거 공정에 있어서 포핑 현상의 발생을 억제할 수 있고, 기판에 형성되는 잔재를 저감할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다. 산소의 조성비를 1로 했을 때에 수소의 조성비가 3 이상이 되도록, 산소 가스 및 수소 가스를 플라즈마 발생실(430)에 공급하고, 플라즈마 발생실(430) 내에서 산소 가스 및 수소 가스를 플라즈마 반응시켜, 플라즈마 발생실(430)에 연속하여 설치된 처리실(445)에 수납된 웨이퍼(600) 표면으로부터 레지스트를 제거한다.

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