Sno-based sputtering target

SnO2계 스퍼터링 타겟

Abstract

This invention provides an SnO2-based sinter target which has a reduced absolute value of the stress of a sputtered film and causes no significant film separation from a peripheral structure of a sputter cathode. The SnO2-based sputtering target is formed of a sinter comprising more than 10 ppm and less than 1% by mass of Sb2O3 and not more than 20% by mass in total of Ta2O5 and/or Nb2O5 with the balance consisting of SnO2 and unavoidable impurities.
스퍼터막의 막응력을 절대값으로 작게 하여, 스퍼터 캐소드의 주변 구조물로부터의 막박리가 적은 SnO 2 계 소결체 타겟이 제공된다. 이 SnO 2 계 스퍼터링 타겟은, 10ppm 초과 1질량% 미만의 Sb 2 O 3 과, 합계 질량이 20질량% 이하인 Ta 2 O 5 및/또는 Nb 2 O 5 와, 잔부(殘部)로서의 SnO 2 및 불가피(不可避) 불순물로 이루어지는 소결체로 이루어진다.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (1)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-101323204-B1October 30, 2013(주)이루자넌-마그네트론 스퍼터링 장치