박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치

TFT, fabricating methode of the TFT, and organic lighting emitting diode display device comprising the same

Abstract

PURPOSE: A TFT, fabricating method of the TFT, and organic lighting emitting diode display device comprising the same are provided to form the gate body without extending an additional body contact region. CONSTITUTION: The thin film transistor includes the substrate(100), the semiconductor layer(104), the gate insulating layer, the gate electrode(111), the interlayer insulating film, and the source / drain electrode. The semiconductor layer is located on surface of the substrate. The semiconductor layer includes the channel region, and the source / drain region and body contact region. The gate insulating layer is located on the surface of the semiconductor layer. The gate insulating layer exposes the body contact region. The gate electrode is located on surface the gate insulating layer. The interlayer insulating film is located on surface the gate electrode. The body contact region is formed within the edge region(105) of the semiconductor layer.
본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다. 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하며, 채널 영역, 소오스/드레인 영역 및 바디콘택영역을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하며, 상기 바디콘택영역을 노출시키는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 게이트 절연막에 의해 노출된 상기 바디콘택영역과 접하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 층간 절연막; 및 상기 층간 절연막 상에 위치하며, 상기 소오스/드레인 영역과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 바디콘택영역은 상기 반도체층의 에지 영역 내에 형성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.

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